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在微納加工領(lǐng)域，選擇一款分辨率高、工藝寬容度大且耐刻蝕的光刻膠至關(guān)重要。micro resist technology GmbH 推出的 ma-N 2400 與 mr-EBL 6000 兩大負(fù)性光刻膠系列，為您的電子束曝光及深紫外光刻工藝提供優(yōu)質(zhì)解決方案。
ma-N 2400 系列：經(jīng)典可靠，雙敏感型
類型：負(fù)性光刻膠，同時(shí)對(duì)電子束和深紫外（DUV）敏感。
分辨率：電子束曝光下可實(shí)現(xiàn) （注：資料中展示了50nm線寬/80nm點(diǎn)陣） 高分辨率圖形。
顯影友好：采用TMAH或NaOH堿性水溶液顯影，避免有機(jī)溶劑溶脹問(wèn)題。
耐刻蝕性：具有高干法/濕法刻蝕抗性，圖形熱穩(wěn)定性優(yōu)異。
適用性：提供從0.1μm到1.0μm（2401/2403/2405/2410）多種膜厚選擇。
mr-EBL 6000 系列：化學(xué)放大，超高效率
類型：化學(xué)放大負(fù)性電子束光刻膠。
高靈敏度：相比傳統(tǒng)負(fù)膠，曝光速度顯著提升（例如10keV下僅需2-6 μC/cm2），大幅縮短寫入時(shí)間。
分辨率：穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)80nm線寬/點(diǎn)陣的 精細(xì)結(jié)構(gòu)。
熱穩(wěn)定性：經(jīng)過(guò)后烘（PEB）后交聯(lián)牢固，耐刻蝕性。
膜厚選擇：提供100nm、300nm、500nm（6000.1/6000.3/6000.5）標(biāo)準(zhǔn)膜厚。
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無(wú)論是研發(fā)還是量產(chǎn)，ma-N 2400 與 mr-EBL 6000 都能為您提供從紫外到電子束的
追求更高的分辨率是微納加工不變的課題。ma-N 2400 與 mr-EBL 6000 系列光刻膠，為電子束光刻（EBL）用戶提供了競(jìng)爭(zhēng)力的高分辨率選項(xiàng)。
ma-N 2400：已驗(yàn)證的高分辨率能力
憑借其高對(duì)比度和堿性顯影特性，能夠有效抑制鄰近效應(yīng)，邊緣粗糙度優(yōu)異。
mr-EBL 6000：靈敏與分辨率的平衡
100nm膜厚下，能夠穩(wěn)定制備 80nm 線條與點(diǎn)陣，特別適合高密度、大面積納米器件制備。
由于靈敏度高，可在保持高分辨率的前提下實(shí)現(xiàn)快速曝光，減少因設(shè)備漂移帶來(lái)的誤差。
負(fù)性圖
聯(lián)系人：鄧經(jīng)理
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郵箱：sales@mycroinc.com
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