使用內(nèi)部光源將FR-μProbe安裝在光學(xué)顯微鏡上

圖1顯示了對(duì)傳感器的SOI區(qū)域的測(cè)量，其中對(duì)活性硅與埋態(tài)氧化物同時(shí)進(jìn)行了厚度測(cè)量。二氧化硅薄膜的厚度值在759.2nm測(cè)量，而硅薄膜在5320.1nm測(cè)量。

圖1. MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上SOI區(qū)域的實(shí)驗(yàn)和擬合反射光譜，以及測(cè)量的厚度值。

圖2顯示了對(duì)傳感器的圖案化懸浮硅區(qū)域的測(cè)量，其中再次對(duì)活性硅與埋態(tài)氧化物同時(shí)進(jìn)行了厚度測(cè)量。測(cè)得二氧化硅薄膜的厚度值在759.2nm處相同，而硅薄膜在5329.1μm處的頂部，比SOI區(qū)域的厚度值高9nm。

圖2. MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上懸浮硅區(qū)域的實(shí)驗(yàn)和擬合反射光譜，以及測(cè)量的厚度值。

References:

[1] J. Su, X. Zhang, G. Zhou, C. Xia, W. Zhou, and Q. Huang, “Areview: crystalline silicon membranes over sealed cavities for pressure sensorsby using silicon migration technology," J. Semicond., vol. 39, no. 7, pp. 1–7,2018.

FR-μProbe通過(guò)光學(xué)顯微鏡在各種模式下進(jìn)行光學(xué)測(cè)量，例如吸收率，透射率，反射率和熒光  。該工具包含兩個(gè)光學(xué)組件：一個(gè)在顯微鏡支持的光譜范圍內(nèi)運(yùn)行的光譜儀，和一個(gè)可安裝在任何三目光學(xué)顯微鏡的C端口上的模塊。用于測(cè)量的光源是光學(xué)顯微鏡中的可用光源。收集信號(hào)的大小區(qū)域由所用物鏡的放大倍率定義。通常對(duì)于50倍物鏡，監(jiān)視區(qū)域是直徑約為5μm的圓形。通過(guò)使用更高放大倍率或更小孔徑的物鏡可進(jìn)一步減少收集面積。通過(guò)測(cè)量反射率，可計(jì)算出所研究的薄膜和厚膜疊層區(qū)域的膜厚和光學(xué)常數(shù)（n＆k）。

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