特色：

• 體積小巧，容易存放，桌面型；

• 輕微復制微米和納米級結(jié)構(gòu)；

• 熱壓印溫度高達200℃；

• 可選的高溫模塊，適用于250℃；

• UV納米壓印，365nm曝光；

• 可選的UV模塊，適用于405nm曝光；

• 真空納米壓印（腔室可抽真空至0.1mbar）；

• 納米壓印壓力高達11bar；

• 溫度分布均勻、讀數(shù)精準；

• 筆記本電腦全自動控制，工藝配方編輯簡單，*靈活控制，自動記錄數(shù)據(jù)；

• 直徑大210mm（圓形）腔室；

• 腔室高度為20mm；

• 即插即用

• 使用簡單直觀

• 專為研發(fā)而設計

• 提供安裝和操作教程視頻

在過去的五年中，基于石墨烯的氣體傳感器引起了很大的興趣，顯示出了單分子檢測的優(yōu)勢。 近的研究表明，與未構(gòu)圖的層相比,構(gòu)圖石墨烯可大大提高靈敏度.

通過標準程序生長CVD石墨烯，然后轉(zhuǎn)移到Si/SiO 2模板上進行進一步處理。 如（Mackenzie，2D Materials，使用物理陰影掩模和激光燒蝕來定義接觸和器件區(qū)域。

使用軟壓印在CNI v2.0中進行熱納米壓印光刻，將mr-I7010E壓印抗蝕劑在130℃，6bar壓力下壓印10分鐘，壓力在70℃下釋放。

通過反應離子蝕刻將邊緣到邊緣間隔為120-150nm的大面積圖案的孔轉(zhuǎn)移到石墨烯中，并且用丙酮除去殘留的抗蝕劑。

發(fā)現(xiàn)器件具有大約的載流子遷移率發(fā)現(xiàn)器件在加工前具有約2000cm2/Vs的載流子遷移率，之后具有400cm2/Vs的載流子遷移率處理，同時保持整體低摻雜水平。